Name: Infineon Technologies BSC0503NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0503NSIATMA1
Price: 0.5339 USD
Availability: InStock
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Infineon Technologies BSC0503NSIATMA1

Artikelnummer:

BSC0503NSIATMA1

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON

Datenblätte:

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies BSC0503NSIATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSC0503NSIATMA1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TDSON-8-6
Serie	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 36W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	22A (Ta), 88A (Tc)
Grundproduktnummer	BSC0503
BSC0503NSIATMA1 Einzelheiten PDF [English]	BSC0503NSIATMA1 PDF - EN.pdf

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- Foto der Teile
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